单晶炉冷却导流筒及气冷系统
授权
摘要

本实用新型公开一种单晶炉冷却导流筒及气冷系统,包括底座和导流筒,所述底座上表面中部设有制冷设备,制冷设备的上表面设有储气瓶,制冷设备通过设置在其上表面的避震器固定连接有托板,托板的上表面设有气泵和矩形箱体,矩形箱体的内部设有过滤网,所述导流筒的内侧面上下两端分别设有环形收集管和环形出气管,本单晶炉冷却导流筒及气冷系统,结构紧凑,安装方便,操作简单,可以快速将冷媒送入到单晶炉内,提高了单晶炉的换热效率,锁止万向轮的设置方便了储气瓶的位置移动,通过过滤网可以对热交换过程中带出的粉尘进行收集,避震器的设置方便了气泵的减震。

基本信息
专利标题 :
单晶炉冷却导流筒及气冷系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920596307.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-04-28
授权号 :
CN210085615U
授权日 :
2020-02-18
发明人 :
魏海宁孔祥传
申请人 :
徐州晶睿半导体装备科技有限公司
申请人地址 :
江苏省徐州市徐州经济技术开发区鑫芯路1号
代理机构 :
北京淮海知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
华德明
优先权 :
CN201920596307.0
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2020-02-18 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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