用于单晶炉的导流筒、单晶炉及导流筒的加工方法
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摘要

本发明公开了一种用于单晶炉的导流筒、单晶炉导流筒的加工方法,导流筒的内轮廓线包括:第一直线段,第一直线段沿竖直方向延伸;第二直线段,第二直线段的一端与第一直线段的背离坩埚的一端连接,第二直线段的另一端朝向背离晶棒的方向倾斜向上延伸,第二直线段与竖直方向之间的夹角为α,且满足:α≥45°;线段组,线段组包含多个依次连接且倾斜角度不同的直线段,线段组用于将从晶棒传递至线段组上的热量朝向水冷套传递,利用水冷套阻挡热量反向传递至晶棒上。根据本发明的导流筒,可以加速晶棒的冷却,有利于降低晶棒内的热应力,从而可以避免晶棒内部出现孔洞或者差排缺陷,进而可以提升晶棒的生产品质。

基本信息
专利标题 :
用于单晶炉的导流筒、单晶炉及导流筒的加工方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113106546A
申请号 :
CN202110320307.X
公开(公告)日 :
2021-07-13
申请日 :
2021-03-25
授权号 :
CN113106546B
授权日 :
2022-05-17
发明人 :
王双丽陈俊宏
申请人 :
徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请人地址 :
江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号
代理机构 :
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
欧阳高凤
优先权 :
CN202110320307.X
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06  C30B15/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
法律状态
2022-05-17 :
授权
2021-07-30 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/06
申请日 : 20210325
2021-07-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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