一种单晶硅生产用导流装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种单晶硅生产用导流装置，涉及单晶硅生产技术领域。本实用新型包括外导流筒和内导流筒；外导流筒一表面分别设置有第一卡块和第二卡块；内导流筒一表面分别设置有第三卡块和第四卡块；第一卡块一表面与第三卡块契合；第二卡块一表面与第四卡块契合；外导流筒一表面贯穿有铆头；外导流筒和内导流筒内壁通过铆头铆接；外导流筒一表面开设有若干散热孔。本实用新型通过第一导流区、第二导流区和第三导流区的材料设计及第一保温层和第二保温层的不同厚度设计，使该导流装置在内导流筒处形成纵向梯度，散热片和散热孔可以进一步增加内筒处温度的纵向梯度，解决传统的导流装置温度梯度较小，拉速效率低的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶硅生产用导流装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920471059.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-09
授权号 ：
CN210030952U
授权日 ：
2020-02-07
发明人 ：
郑芹峰周建明
申请人 ：
浙江明峰电子科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省衢州市开化县工业园区茶场片区茶四路6号
代理机构 ：
北京科家知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈娟
优先权 ：
CN201920471059.7
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-02-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
