一种RCZ法拉制镓掺杂单晶硅的导流筒结构
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摘要
本实用新型公开了一种RCZ法拉制镓掺杂单晶硅的导流筒结构，包括盛有液态硅的石英坩埚，所述液态硅的液面上设有外导流筒，外导流筒为纵向布置的管状结构，其底部开口小于上部开口，所述外导流筒内置与其结构相同的内导流筒，外导流筒与内导流筒之间为高效保温毡，外导流筒的上边缘与内导流筒的上边缘之间填充有导流筒固毡环，所述内导流筒内安装有水冷屏。本实用新型可以有效地提高等径过程中单晶的生长速度，增加掺镓单晶的有效长度。
基本信息
专利标题 ：
一种RCZ法拉制镓掺杂单晶硅的导流筒结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020952838.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-29
授权号 ：
CN213708547U
授权日 ：
2021-07-16
发明人 ：
马新星王艺澄
申请人 ：
包头美科硅能源有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区包头市昆都仑区金属深加工园区拓业路1号
代理机构 ：
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 ：
马严龙
优先权 ：
CN202020952838.1
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B15/10 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-07-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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