一种单晶硅生产用导流装置
授权
摘要

本实用新型公开了一种单晶硅生产用导流装置,具体涉及单晶硅领域,包括导流装置本体,所述导流装置本体的外表面一侧套设有第一防护壳,所述导流装置本体的外表面另一侧套设有第二防护壳,所述第一防护壳与第二防护壳之间插设连接有限位螺栓,所述导流装置本体的上表面设有防护盖。通过设置控制器,该装置使用时,通过启动控制器运作,随后控制器运作时将配合带动温度感应器启动,此时温度感应器启动时将配合使得加热板开始进行加热,当加热板进行加热时将对导流装置本体内部的物料进行均匀加热,防止出现导流装置本体在使用时不具备均匀加热的结构,从而导致导流装置本体在加工生产单晶硅时,使得单晶硅的产量不佳。

基本信息
专利标题 :
一种单晶硅生产用导流装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122548821.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-10-21
授权号 :
CN216192877U
授权日 :
2022-04-05
发明人 :
陈伟鹏皇甫振东施伟李永利
申请人 :
内蒙古赛宝伦科技有限公司
申请人地址 :
内蒙古自治区呼和浩特市经济技术开发区沙尔沁工业园开放大街沙尔沁工业区建设指挥部办公大楼0402-01号
代理机构 :
天津垠坤知识产权代理有限公司
代理人 :
江洁
优先权 :
CN202122548821.7
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06  C30B11/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
法律状态
2022-04-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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