一种单晶硅制绒装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种单晶硅制绒装置，将硅片依次进行前酸清洗→纯水清洗→预清洗→粗抛→碱清洗→纯水清洗→制绒→纯水清洗→后清洗→纯水清洗→后酸清洗→纯水清洗→慢提拉→烘干处理。本实用新型可以有效解决绒面脏污问题，同时制备的金字塔大小均匀、尺寸一致且密集分布于硅片表面，绒面反射率低。而且制绒工序整体时间短，提高了产量。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶硅制绒装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921360036.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-21
授权号 ：
CN210296311U
授权日 ：
2020-04-10
发明人 ：
陈燕常纪鹏何凤琴张志郢杨超王冬冬张敏李得银
申请人 ：
青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;黄河水电光伏产业技术有限公司
申请人地址 ：
青海省西宁市城东区昆仑东路20号
代理机构 ：
上海申汇专利代理有限公司
代理人 ：
翁若莹
优先权 ：
CN201921360036.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L31/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-04-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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