一种单晶硅二次制绒的添加剂及其制绒工艺
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种单晶硅二次制绒的添加剂及其制绒工艺,包括表面活性剂、螯合剂、脱泡剂、成核促进剂、清洗剂和去离子水,将表面活性剂、螯合剂、脱泡剂、成核促进剂、清洗剂和去离子水混合制成添加剂,将添加剂分别与碱液通过不同的配比制成1号制绒槽料液与2号制绒槽料液,将单晶硅片放在1号制绒槽料液与2号制绒槽料液制绒后再放入2号制绒槽料液二次制绒,使得绒面均匀性更好,塔基的高度更高,从而降低了反射率,提高了光生电流强度,以及提高了绒面的洁净度,减少了杂质导致的电子复合,提高了光电转换效率。
基本信息
专利标题 :
一种单晶硅二次制绒的添加剂及其制绒工艺
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114318550A
申请号 :
CN202111532361.7
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-15
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
韩军陈心浩吴家阳周浩王涛彭丽常帅锋
申请人 :
嘉兴市小辰光伏科技有限公司
申请人地址 :
浙江省嘉兴市秀洲区康和路1288号嘉兴光伏科创园3号楼10F1001室
代理机构 :
嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
陈宇航
优先权 :
CN202111532361.7
主分类号 :
C30B33/10
IPC分类号 :
C30B33/10 C09K13/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/08
侵蚀
C30B33/10
在溶液或熔体内
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 33/10
申请日 : 20211215
申请日 : 20211215
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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