一种用于弱粗抛工艺的单晶硅制绒添加剂及使用方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种用于弱粗抛工艺的单晶硅制绒添加剂及使用方法,包括有脱泡剂、辅助成核剂、表面活性剂、PH调节剂、络合剂、有机酸和去离子水。相对于现有的无粗抛制绒工艺制绒添加剂,本申请的单晶硅制绒添加剂,搭配弱粗抛工艺,有效提高了单晶硅电池片的良率,促进硅片大尺寸薄片化发展,降低了太阳能电池片的制造成本;添加剂使用窗口大,适应硅片粗抛减重0.03‑0.10g的工艺,可操作性强。弱粗抛后的硅片表面依旧平整,使用本添加剂制绒能够形成较优绒面,提高了硅片的陷光效应,从而获得较低的反射率,提升了太阳能电池片光电转换效率。
基本信息
专利标题 :
一种用于弱粗抛工艺的单晶硅制绒添加剂及使用方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114318549A
申请号 :
CN202111444329.3
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-11-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
彭丽陈心浩吴家阳王涛韩军常帅锋周浩
申请人 :
嘉兴市小辰光伏科技有限公司
申请人地址 :
浙江省嘉兴市秀洲区康和路1288号嘉兴光伏科创园3号楼10F1001室
代理机构 :
嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
陈宇航
优先权 :
CN202111444329.3
主分类号 :
C30B33/10
IPC分类号 :
C30B33/10 C30B29/06 H01L31/18 H01L31/0236
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/08
侵蚀
C30B33/10
在溶液或熔体内
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 33/10
申请日 : 20211130
申请日 : 20211130
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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