一种低减重单晶硅片制绒添加剂、制备方法及其用途

实质审查的生效

摘要

本发明提供一种低减重单晶硅片制绒添加剂，其特征在于，按重量百分比包括如下组分：糖类0.1%‑10%、醇类0.001%‑1%、缓蚀剂0.001%‑1%，分散剂0.05%‑5%、无机盐0.01%‑1%、表面活性剂0.001%‑0.5%、碱0.01%‑1%，余量为水。本发明利用低减重单晶硅片制绒添加剂在单晶硅表面制绒。利用本发明制备的低减重单晶硅片制绒添加剂在单晶硅表面制绒时，减重小，后续高温工序不易出现弓片，有利于薄片和大尺寸单晶硅片的推广；减重低，对应碱的耗量低，可以降低成本；减重低，反应产物硅酸盐产生量低，可以提升制绒添加剂的寿命。

基本信息

专利标题：

一种低减重单晶硅片制绒添加剂、制备方法及其用途

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114481332A

申请号：

CN202210097320.8

公开（公告）日：

2022-05-13

申请日：

2022-01-27

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王波刘治州郭熹单璐璐

申请人：

江苏捷捷半导体新材料有限公司

申请人地址：

江苏省南通市启东市科技创业园兴龙路8号

代理机构：

南通一恒专利商标代理事务所(普通合伙)

代理人：

梁金娟

优先权：

CN202210097320.8

主分类号：

C30B33/10

IPC分类号：

C30B33/10 C30B29/06 H01L31/18 H01L31/0236

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B33/00

单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理

C30B33/08

侵蚀

C30B33/10

在溶液或熔体内

法律状态

2022-05-31 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : C30B 33/10
申请日 : 20220127

2022-05-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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