单晶炉导流筒外导防脱落结构
授权
摘要
本实用新型提供一单晶炉导流筒外导防脱落结构，包括上边沿连接的内导流筒和外导流筒，外导流筒内壁上设置耐高温金属制成的防脱件，防脱件上端固定在内导流筒和外导流筒上边沿的夹层中，防脱件下端与外导流筒内壁的中部或者下部固定。防脱件为钼片，钼片上部固定在内导流筒和外导流筒的夹层中，钼片下部采用碳碳螺栓固定在外导流筒内壁上，钼片紧贴外导流筒内表面设置；外导流筒上沿着圆周设置至少一个钼片。外导流筒有裂缝或者断裂后，脱落件连接断裂的外导流筒，使其继续工作，不会掉入石英坩埚溶硅中。
基本信息
专利标题 ：
单晶炉导流筒外导防脱落结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921727874.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-15
授权号 ：
CN211595850U
授权日 ：
2020-09-29
发明人 ：
周小飞郭艳旗汪二明
申请人 ：
河南协鑫光伏科技有限公司
申请人地址 ：
河南省漯河市经济技术开发区东方红路1号
代理机构 ：
郑州中原专利事务所有限公司
代理人 ：
张春
优先权 ：
CN201921727874.1
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2020-09-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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