一种单晶炉导流筒防沉积结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种单晶炉导流筒防沉积结构，包括单晶炉，所述单晶炉内侧壁固定连接有加热器，所述加热器上设有节能坩埚，所述单晶炉的上端面固定连接有保温衬套，所述保温衬套的上端面设有保温大盖板，所述保温衬套的上端面卡接有分段式导流筒，所述分段式导流筒包括上部固定管与下部转动管，所述下部转动管与上部固定管之间设有用于实现下部转动管转动的转动接口机构。本实用新型结构合理，通过设置转动接口机构实现下部转动管与上部固定管的相对转动，实现对与分段式道理管清理过程提供转动动力，通过设置动力蜗杆机构为下部转动杆提供转动动力，实现下部转动管固定转速的转动。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉导流筒防沉积结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922295586.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-19
授权号 ：
CN211394697U
授权日 ：
2020-09-01
发明人 ：
韩永龙高玉顺何旭杨延生
申请人 ：
阳光能源（青海）有限公司
申请人地址 ：
青海省西宁市经济技术开发区金源路
代理机构 ：
青海省专利服务中心
代理人 ：
李玉青
优先权 ：
CN201922295586.X
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-09-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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