一种单晶炉导流筒及提升装置
授权
摘要

本实用新型提供一种单晶炉导流筒及提升装置,包括导流筒和设置于导流筒上方的炉盖;所述导流筒用于单晶炉热场的保温隔热,所述炉盖用于阻隔热气的散出,以及还包括:软轴和设置于所述软轴上端的提升机构,所述提升机构用于牵拉所述软轴,所述软轴用于提拉导流筒,以及所述导流筒的上表面设有提升盖板,所述提升盖板用于连接所述软轴。本实用新型的有益效果是:使用导流筒提升软轴代替传统的导流筒提升杆,不再需要对导流筒提升盖板打孔,也无需在保温盖上开设定位孔,避免了提升过程中位置不对准导致的导流筒定位错误,同时也避免了导流筒提升杆限重后对热场件的挤压,防止热场件损坏,软轴在导流筒限重后自然弯曲,不会对晶体生长造成影响。

基本信息
专利标题 :
一种单晶炉导流筒及提升装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122007322.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-08-25
授权号 :
CN216338065U
授权日 :
2022-04-19
发明人 :
史慧敏贾海洋周宏邦张强王淼王立刚娄中士
申请人 :
内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请人地址 :
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
代理机构 :
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
栾志超
优先权 :
CN202122007322.7
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2022-04-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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