单晶炉导流筒
专利权的终止
摘要

本实用新型公开了一种采用炭/炭复合材料加工制成的单晶炉导流筒,其特征是导流筒由炭/炭复合材料加工制成,它包括高密度的炭/炭复合材料表层[3]和低密度的炭/炭复合材料里层[2],本实用新型因导流筒表层[3]为高密度(1.2g/cm3~1.7g/cm3)的炭/炭复合材料,其抗折强度为110MPa左右,导热系数仅为10W/mK左右,而里层[2]为低密度(0.4g/cm3~0.9g/cm3)的炭/炭复合材料,导热系数仅为0.8W/mK左右,因此,导流筒综合性能好,既具有足够的强度和耐磨性,又具有较好的抗热震性和保温性能;同时,较之石墨导流筒,减小了导流筒壁厚,减轻了导流筒质量,其自身耗能也减少。

基本信息
专利标题 :
单晶炉导流筒
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820052442.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-03-03
授权号 :
CN201162061Y
授权日 :
2008-12-10
发明人 :
廖寄乔邰卫平王跃军龚玉良
申请人 :
湖南金博复合材料科技有限公司
申请人地址 :
413000湖南省益阳市迎宾西路2号
代理机构 :
益阳市银城专利事务所
代理人 :
舒斌
优先权 :
CN200820052442.0
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2018-03-27 :
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : C30B 15/00
申请日 : 20080303
授权公告日 : 20081210
2016-08-31 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101738103874
IPC(主分类) : C30B 15/00
专利号 : ZL2008200524420
变更事项 : 专利权人
变更前 : 湖南金博复合材料科技有限公司
变更后 : 湖南金博碳素股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 413000 湖南省益阳市迎宾西路2号
变更后 : 413000 湖南省益阳市迎宾西路2号
2008-12-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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