一种单晶炉用内导流筒
专利权的终止
摘要

本实用新型公开了一种单晶炉用内导流筒,属于单晶炉技术领域。一种单晶炉用内导流筒,包括导流筒件和吊杆,吊杆置于导流筒件的上方,吊杆的底部连接有固定块,固定块外壁均连接有两个固定耳,两个固定耳之间连接有支撑杆,支撑杆远离固定块的一端连接有与导流筒件底部相配合的承压板,承压板与导流筒件的底壁活动相抵,固定块的底部连接有圆管,圆管内壁滑动连接有蜗杆,圆管外壁连接有工作筒,工作筒内壁转动连接有与蜗杆相啮合的主动蜗轮,主动蜗轮外壁连接有转动轴;本实用新型通过支撑杆对导流筒的底部进行支撑,对导流筒进行搬运,降低人力工作量和烫伤风险,且稳定的结构避免导流筒掉落。

基本信息
专利标题 :
一种单晶炉用内导流筒
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922051598.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-25
授权号 :
CN210796693U
授权日 :
2020-06-19
发明人 :
李元成何瑞华
申请人 :
济宁市华祥石墨制品有限公司
申请人地址 :
山东省济宁市经济开发区吉祥路南,嘉美路东
代理机构 :
北京鼎德宝专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
牟炳彦
优先权 :
CN201922051598.8
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2021-11-05 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C30B 15/00
申请日 : 20191125
授权公告日 : 20200619
终止日期 : 20201125
2020-06-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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