一种单晶炉用导流筒支撑架
专利权的终止
摘要
本实用新型公开了一种单晶炉用导流筒支撑架,属于支撑架技术领域。一种单晶炉用导流筒支撑架,包括底板,所述底板顶壁上连接有升降机构,所述升降机构远离底板的一端连接有第一支撑板,所述第一支撑板顶壁上连接有支撑柱,所述支撑柱远离支第一支撑板的一端连接有第二支撑板,所述第二支撑板顶壁上开凿有凹槽,所述凹槽内部转动连接有第二连杆,所述第二连杆顶壁上连接有第一卡爪,所述第二连杆的底部内壁上转动连接有气缸,所述第二支撑板的顶壁上还开凿有T型槽,所述T型槽内部滑动连接有第二滑块,所述第二滑块顶壁上连接有第二卡爪;本实用新型操作简单,能够有效的将导流筒稳定的固定在第一支撑板上,避免发生安全隐患。
基本信息
专利标题 :
一种单晶炉用导流筒支撑架
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921922021.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-08
授权号 :
CN210796692U
授权日 :
2020-06-19
发明人 :
李元成何瑞华
申请人 :
济宁市华祥石墨制品有限公司
申请人地址 :
山东省济宁市经济开发区吉祥路南,嘉美路东
代理机构 :
北京鼎德宝专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
牟炳彦
优先权 :
CN201921922021.3
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2021-10-26 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C30B 15/00
申请日 : 20191108
授权公告日 : 20200619
终止日期 : 20201108
申请日 : 20191108
授权公告日 : 20200619
终止日期 : 20201108
2020-06-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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