一种单晶炉生产用输料导流装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种单晶炉生产用输料导流装置,包括包括储料箱和底座,所述储料箱的内部开设有储料仓,所述储料仓中插入有出料轴,且出料轴的一端延伸出储料箱外,所述储料箱的底端设有放置架,所述放置架内部开设的空腔中固定安装有电机,且电机的输出端套接在出料轴上,所述储料箱的一侧固定安装有出料口,所述出料口中开设有出料仓。本实用新型通过设置有稳定块、弧形槽、弹簧球、挡板和出料轴,这样可以通过控制挡板和挡块内壁之间的空隙大小来控制工料流速,同时可以通过出料轴带着工料不断朝出料口处移动,进一步加快工料的流出,也避免了工料堆积在储料仓中,以及本装置操作简单,便于工作人员进行操作。
基本信息
专利标题 :
一种单晶炉生产用输料导流装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021355001.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-07-11
授权号 :
CN213037873U
授权日 :
2021-04-23
发明人 :
李茂欣
申请人 :
上海磐盟电子材料有限公司
申请人地址 :
上海市松江区长塔路399号2幢
代理机构 :
北京化育知识产权代理有限公司
代理人 :
尹均利
优先权 :
CN202021355001.5
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00 C30B29/06 B65G65/40 B65G69/00 B07B1/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2021-04-23 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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