一种单晶炉用二次输料装置
授权
摘要
本实用新型涉及输料装置技术领域，具体为一种单晶炉用二次输料装置，包括装置主体，所述装置主体包括安装块和输料管，所述安装块的内部插入安装有输料管，所述安装块内部的两侧皆开设有滑槽，所述输料管两侧的底端皆固定安装有滑块，所述滑块滑动安装至滑槽的内部，所述输料管的两侧皆嵌入安装有散热鳍片，所述安装块内部的两侧皆设置有固定机构。本实用新型通过设置有滑槽、滑块、第一空腔、第一弹簧和插杆，利用滑块滑动安装至滑槽内部，从而方便了工作人员对输料管的安装，同时利用第一弹簧的惯性，可以使插杆对滑块进行固定，从而将滑块牢固的固定在滑槽的内部，增加了结构的牢固性，也防止了输料管在安装后出现晃动掉落的现象。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉用二次输料装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021354974.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-11
授权号 ：
CN213037875U
授权日 ：
2021-04-23
发明人 ：
李茂欣
申请人 ：
上海磐盟电子材料有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区长塔路399号2幢
代理机构 ：
北京化育知识产权代理有限公司
代理人 ：
尹均利
优先权 ：
CN202021354974.7
主分类号 ：
C30B15/02
IPC分类号 ：
C30B15/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2021-04-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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