一种单晶炉炉底冷却装置及单晶炉
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型公开了一种单晶炉炉底冷却装置和单晶炉,其中单晶炉炉底冷却装置包括炉底盘和设置于炉底盘上的排气管和电极,还包括用于冷却水流入的进水主管和用于冷却水流出的出水主管,以及多个进水分管和出水分管;其中任意一个排气管的一端均通过任意一个进水分管与进水主管相连,另一端均通过任意一个出水分管与出水主管相连;任意一个电极的一端均通过任意一个进水分管与进水主管相连,另一端均通过任意一个出水分管与出水主管相连。该装置能够均匀的冷却单晶炉炉底的排气管及电极,既能保证设备的安全性,又能避免氧化物聚集堵塞管道,从而有效保证了生产的顺利进行。

基本信息
专利标题 :
一种单晶炉炉底冷却装置及单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021495027.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-07-24
授权号 :
CN213417069U
授权日 :
2021-06-11
发明人 :
刘杰马自成
申请人 :
四川永祥硅材料有限公司
申请人地址 :
四川省乐山市五通桥区竹根镇永祥路100号
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
李宁
优先权 :
CN202021495027.X
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2021-08-20 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C30B 15/00
登记生效日 : 20210806
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 四川永祥硅材料有限公司
变更后权利人 : 四川永祥光伏科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 614800 四川省乐山市五通桥区竹根镇永祥路100号
变更后权利人 : 614000 四川省乐山市五通桥区金粟镇十字街8号
2021-06-11 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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