一种单晶炉的炉盖及单晶炉
授权
摘要
本实用新型提供一种单晶炉的炉盖及单晶炉，包括：炉盖主体，上端中心形成圆形通孔，下端覆盖单晶炉的主室体；炉盖小副室筒，竖直延伸并连通在炉盖主体的圆形通孔处；分流环，设置在炉盖小副室筒的顶端，具有输送惰性气体的进气口和出气口，进气口与外部惰性气体源连通，出气口位于炉盖小副室筒的内壁处；导气管，沿炉盖小副室筒的内壁从出气口延伸至炉盖主体的圆形通孔处。本实用新型的单晶炉的炉盖及单晶炉，通过将导气管延伸至炉盖小副室筒的底端，使得惰性气体可以直接进入单晶炉，杜绝了惰性气体与炉盖小副室筒筒壁干扰产生涡流后在筒壁上沉积氧化物的问题，从而也避免了氧化物掉入单晶炉内，造成成晶困难及影响单晶质量的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉的炉盖及单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123095843.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-10
授权号 ：
CN216585310U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
杨西虎杨超武绚丽
申请人 ：
曲靖晶龙电子材料有限公司
申请人地址 ：
云南省曲靖市曲靖经济技术开发区光伏一号路以东、南海大道以南
代理机构 ：
上海华诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘煜
优先权 ：
CN202123095843.9
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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