单晶炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种单晶炉，涉及单晶硅设备技术领域，主要目的是提供一种能够防止排气管阻塞的单晶炉。本实用新型的主要技术方案为：一种单晶炉，包括：炉体；排气部，排气部包括进气部件、排气管和活塞部件，排气管的一端连接于炉体，用于排出炉体内的杂质，活塞部件设置在排气管内，并且滑动连接于排气管，用于刮去排气管的内壁上的杂质，进气部件连接于排气管，用于吹扫排气管。本实用新型主要用于单晶炉排气。
基本信息
专利标题 ：
单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920807266.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-31
授权号 ：
CN210030953U
授权日 ：
2020-02-07
发明人 ：
马腾飞汪奇王楠马新成邹昌盛段永兵王军陈龑豆欣研
申请人 ：
新疆晶科能源有限公司
申请人地址 ：
新疆维吾尔自治区伊犁哈萨克自治州新源县工业园区A区
代理机构 ：
北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孟阿妮
优先权 ：
CN201920807266.5
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-02-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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