单晶炉
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摘要

本实用新型公开了单晶炉,包括:单晶炉本体、石英坩埚、籽晶、第一加热器、第二加热器、导流筒和第三加热器,单晶炉本体内限定出容纳空间;石英坩埚设在容纳空间;籽晶可垂直移动地设在石英坩埚上方且可伸入熔硅中以便直拉长晶得到晶棒;第一加热器设在单晶炉本体内且位于石英坩埚的下方;第二加热器设在单晶炉本体内且环绕石英坩埚的侧壁;导流筒设在石英坩埚上方且环绕晶棒的一部分;第三加热器包括加热丝、正极脚和负极脚,正极脚穿过导流筒与加热丝的一端相连,负极脚穿过导流筒与加热丝的另一端相连,加热丝围绕晶棒周向的一部分设置且位于石英坩埚和导流筒之间。采用该单晶炉在提高单晶生产效率的同时提高单晶品质。

基本信息
专利标题 :
单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921760718.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-18
授权号 :
CN210736948U
授权日 :
2020-06-12
发明人 :
薛抗美
申请人 :
徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请人地址 :
江苏省徐州市徐州经济开发区杨山路66号
代理机构 :
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
肖阳
优先权 :
CN201921760718.5
主分类号 :
C30B15/14
IPC分类号 :
C30B15/14  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2020-06-12 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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