一种在横向超导磁场中应用的热场及长晶方法
授权
摘要
本发明公开了一种在横向超导磁场中应用的热场及长晶方法。该热场包括主加热器、位于主加热器下方的底加热器、隔热层；其中主加热器与底加热器通过开槽长度的变化调整不同部位的发热量，从而通过调整横向磁场内不抑制流动方向的加热器和隔热层结构，达到降低温度梯度的效果，能够减弱横向磁场的轴向不对称性，提高晶体质量。
基本信息
专利标题 ：
一种在横向超导磁场中应用的热场及长晶方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112626621A
申请号 ：
CN202011473237.3
公开（公告）日 ：
2021-04-09
申请日 ：
2020-12-15
授权号 ：
CN112626621B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
吴春生张熠穆童郑锴
申请人 ：
南京晶能半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市经济技术开发区兴智路6号兴智科技园
代理机构 ：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
张弛
优先权 ：
CN202011473237.3
主分类号 ：
C30B30/04
IPC分类号 ：
C30B30/04 C30B15/14 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B30/00
利用电场、磁场、波能或其他特定物理条件的作用为特征来制备单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B30/04
用磁场的
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2021-04-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 30/04
申请日 : 20201215
申请日 : 20201215
2021-04-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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