一种能用于AlN设备长晶支撑热场隔热的支架
授权
摘要
一种能用于AlN设备长晶支撑热场隔热的支架，属于晶体制备装置技术领域。本实用新型解决了而目前用于晶体制备装置的支架寿命短，硬度差，隔热效果不好的缺陷问题。本实用新型包括上支撑块、中间支撑块和下支撑块，上支撑块和下支撑块通过中间支撑块连接。本实用新型的支架操作简单，安装方便，材料易得，加工精度高，材料支撑强度高，通过层状结构可以有效的减少热损失，在制备晶体时，隔绝了热场中的热向下传导，保证底盘处温度处于低点，起到了良好的隔热效果。
基本信息
专利标题 ：
一种能用于AlN设备长晶支撑热场隔热的支架
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020949074.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-29
授权号 ：
CN212175077U
授权日 ：
2020-12-18
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市南岗区哈西大街与学府四道街交汇处第40栋-1-2层12号
代理机构 ：
哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
韩立岩
优先权 ：
CN202020949074.0
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B29/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2020-12-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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