具有横向电场与横向磁场偏振光的光通讯元件
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种具有横向电场与横向磁场偏振光的光通讯元件，包括，一p‑金属电极、一n‑金属电极层、一高反射镀膜层以及一抗反射镀膜层，设置于该具有横向电场与横向磁场偏振光的光通讯元件上。一电致吸收光调变器(EAM)具有EAM量子阱使用砷磷化铟镓(InGaAsP)。一分布式反馈激光(DFB Laser)具有DFB量子阱使用砷磷化铟镓(InGaAsP)或砷化铟镓铝(InGaAlAs)。其中，当该EAM量子阱的应变>‑0.2％，且该分布式反馈激光产生一横向电场模式偏振光(TE模式的光)，该横向电场模式偏振光主要被重空穴次能带(heavy hole subband)吸收。
基本信息
专利标题 ：
具有横向电场与横向磁场偏振光的光通讯元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114545701A
申请号 ：
CN202011330910.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-11-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
颜胜宏吴侑伦
申请人 ：
华星光通科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾桃园市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011330910.8
主分类号 ：
G02F1/17
IPC分类号 ：
G02F1/17 G02F1/017
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
G02F1/17
•• G02F1/015至G02F1/167不包括的基于可变的吸收元件的（
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02F 1/17
申请日 : 20201124
申请日 : 20201124
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
