一种内建电场调控型磁场探测装置
公开
摘要
本发明涉及磁场探测装置技术领域，具体涉及一种内建电场调控型磁场探测装置，包括导电金属层、光敏半导体层、透明导电材料层、磁致伸缩颗粒，光敏半导体层置于导电金属层上，透明导电材料层置于光敏半导体层上，磁致伸缩颗粒置于光敏半导体层与导电金属层之间的界面处，磁致伸缩颗粒部分地置于光敏半导体层内、部分地置于导电金属层内。应用时，导电金属层和透明导电材料层分别通过电极连接外电路的电压源和电流表。同时，应用光照射光敏半导体层。本发明通过测量外电路中电流的变化实现磁场探测，本发明具有磁场探测灵敏度高的优点，在磁场探测领域具有良好的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种内建电场调控型磁场探测装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114296012A
申请号 ：
CN202111187647.6
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘翡琼
申请人 ：
刘翡琼
申请人地址 ：
陕西省西安市长安区西长安街620号7栋4单元4层2号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202111187647.6
主分类号 ：
G01R33/032
IPC分类号 ：
G01R33/032
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/032
采用磁—光设备，例如法拉第的
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
