一种铁电场调控的二维材料PN结光电探测器
授权
摘要
本专利公开了一种铁电场调控的二维材料PN结光电探测器。器件结构自下而上依次为是绝缘衬底、双极性二维半导体，金属电极、铁电功能层。器件制备步骤是：利用机械剥离法在衬底上制备双极性二维半导体，利用紫外光刻或电子束光刻的方法结合热蒸发、剥离工艺制备金属电极，然后在该结构上用旋涂法制备铁电薄膜，随后利用压电力显微镜使二维材料上方两侧的铁电材料极化方向相反，利用铁电局域场调控二维半导体两侧分别为电子和空穴导电，形成面内PN结，并用于光电探测。器件工作时无需外加电压，通过测量光照下的电流信号变化，实现光电探测，也可用于光伏能源转换。该探测器具有高灵敏、低暗电流、快速响应、稳定性好、低功耗等特点。
基本信息
专利标题 ：
一种铁电场调控的二维材料PN结光电探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920411692.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-03-29
授权号 ：
CN209929345U
授权日 ：
2020-01-10
发明人 ：
王建禄吴广健王旭东沈宏林铁孟祥建褚君浩
申请人 ：
中国科学院上海技术物理研究所
申请人地址 ：
上海市虹口区玉田路500号
代理机构 ：
上海沪慧律师事务所
代理人 ：
郭英
优先权 ：
CN201920411692.7
主分类号 ：
H01L51/42
IPC分类号 ：
H01L51/42 H01L51/46 H01L51/48
法律状态
2020-01-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
