一种磁场调控型光吸收装置
实质审查的生效
摘要

本发明涉及光吸收技术领域,具体涉及一种磁场调控型光吸收装置,包括衬底和置于衬底上周期排布的光吸收单元,光吸收单元包括贵金属薄膜和磁性材料部,相邻光吸收单元的贵金属薄膜联通,贵金属薄膜中设有圆孔和矩形孔,矩形孔设置在圆孔的一侧,矩形部不和圆孔联通,磁性材料部设置在圆孔内。当外加磁场的作用下,磁性材料部的折射率发生变化,改变了圆孔附近介电环境,从而改变了圆孔附近的局域表面等离激元共振,实现了微纳结构的光吸收特性调控,便于针对不同波长的入射光进行吸收,拓宽了装置的应用范围。

基本信息
专利标题 :
一种磁场调控型光吸收装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114442343A
申请号 :
CN202210119852.7
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2022-02-09
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李国强
申请人 :
李国强
申请人地址 :
山东省济南市历下区慧园一区7号楼1单元802号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202210119852.7
主分类号 :
G02F1/09
IPC分类号 :
G02F1/09  G02B5/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如转换、选通、调制或解调,上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的;用于上述操作的技术或工艺;变频;非线性光学;光学逻辑元件;光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如,转换、选通或调制;非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/09
基于磁—光元件的,例如,呈现法拉第效应的
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02F 1/09
申请日 : 20220209
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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