一种脉冲磁场调控HiPIMS放电靶装置
授权
摘要
一种脉冲磁场调控HiPIMS放电靶装置，属于真空镀膜技术领域。绝缘套筒可拆卸套装在水冷箱上，压紧套可拆卸套装在绝缘套筒上并将靶压紧贴附于水冷箱上面，连接板可拆卸设置在水冷箱下部，绝缘垫位于连接板与连接套筒之间且三者可拆卸连接，磁轭筒与连接套筒可拆卸连接，磁轭柱可拆卸设置在磁轭筒内，内线圈设置在磁轭柱与磁轭筒之间，外线圈套装在磁轭筒上，水冷箱上紧密套装有绝缘环和真空室，真空室侧壁和靶分别连接HiPIMS电源的阳极和阴极，内线圈与内线圈电源连接，外线圈与外线圈电源连接，匹配单元用于调控HiPIMS电源与外线圈电源和内线圈电源之间的脉冲相位，在电源单元作用下，在HiPIMS脉冲电压持续期间在靶表面获得磁力线。本实用新型用于真空镀膜中。
基本信息
专利标题 ：
一种脉冲磁场调控HiPIMS放电靶装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020153139.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-05
授权号 ：
CN211497773U
授权日 ：
2020-09-15
发明人 ：
许建平陈晶于久灏王景旭
申请人 ：
黑龙江省海振科技有限公司
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市道外区红旗大街999号
代理机构 ：
哈尔滨龙科专利代理有限公司
代理人 ：
高媛
优先权 ：
CN202020153139.0
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-09-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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