一种基于局部磁场调控压磁-压电半导体器件
授权
摘要
本发明公开了一种基于局部磁场调控的压磁‑压电半导体器件，涉及半导体设计技术领域，该压磁‑压电半导体器件由第一压磁层、第二压磁层、压电半导体层、电极、线圈、直流电流源、电源构成；所述压电半导体层的两端分别与电极固定连接，电极与电源串联；所述第一压磁层、压电半导体层和第二压磁层依次连接，且所述第一压磁层、第二压磁层与压电半导体层设置于线圈中，所述线圈的两端与直流电流源串联。不同于传统PN结局限于正向电路导通和反向电路截止，该器件可实现正向电路导通、电路截止和反向电路导通，即电路的三种状态。
基本信息
专利标题 ：
一种基于局部磁场调控压磁-压电半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020732299.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-07
授权号 ：
CN211789031U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
张春利梁超杨嘉实
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
邱启旺
优先权 ：
CN202020732299.0
主分类号 ：
H01L29/82
IPC分类号 ：
H01L29/82 H01L41/08 H01L41/12
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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