一种基于压磁-压电半导体复合结构的磁场检测装置
授权
摘要

本实用新型提供了一种基于压磁‑压电半导体复合结构的磁场检测装置,所述压磁‑压电半导体器件由传感器单元、金属电极、导线、伺服电机、单片机、电压采集单元、显示器组成。所述传感器单元包括第一压磁层、第二压磁层、第一压电半导体层、第二压电半导体层。所述第一压磁层与第一压电半导体层的极化方向相同,所述第二压磁层与第二压电半导体层的极化方向相同,所述第一压电半导体层与第二压电半导体层的极化方向相反;所述第一压磁层、第一压电半导体层、第二压电半导体层和第二压磁层依次连接。通过压电半导体在磁场中的变形测出磁场大小。比传统的磁场测量方法更加精密,可以同时测量磁场大小和方向,较传统的磁场测量方法更加稳定。

基本信息
专利标题 :
一种基于压磁-压电半导体复合结构的磁场检测装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202123246529.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-12-22
授权号 :
CN216595466U
授权日 :
2022-05-24
发明人 :
张春利黄依凡
申请人 :
浙江大学深圳研究院
申请人地址 :
广东省深圳市南山区粤海街道高新南四道019号虚拟大学园楼A310室
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202123246529.6
主分类号 :
G01R33/06
IPC分类号 :
G01R33/06  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/06
采用电磁器件
法律状态
2022-05-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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