一种基于光敏半导体材料的磁场探测装置
公开
摘要
本发明涉及磁场探测装置技术领域，具体涉及基于光敏半导体材料的磁场探测装置。绝缘弹性层设置在衬底层上，光敏半导体部设置在绝缘弹性层上的中部，第一导电部和第二导电部分别设置在绝缘弹性层上的两端，半导体材料部的两端分别与第一导电部和第二导电部固定连接，第一导电部和第二导电部的高度大于光敏半导体部的高度，磁致伸缩材料部固定连接第一导电部和第二导电部的上表面，第一电极和第二电极分别设置在第一导电部和第二导电部上。本发明具有磁场探测灵敏度高、量程宽等优点，在磁场探测灵敏具有良好的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种基于光敏半导体材料的磁场探测装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114295949A
申请号 ：
CN202111352394.3
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘翡琼
申请人 ：
刘翡琼
申请人地址 ：
陕西省西安市长安区西长安街620号7栋4单元4层2号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202111352394.3
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R33/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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