一种用于探测半导体材料X射线性能的装置
著录事项变更
摘要

本实用新型公开了一种用于探测半导体材料X射线性能的装置,该装置包括暗箱和静电计,暗箱内设有电磁屏蔽盒,电磁屏蔽盒上方设有开口,开口上方设有X射线光源,电磁屏蔽盒内设有PCB板,PCB板上设有第一导电胶、第二导电胶、第一针脚和第二针脚,第一导电胶和第二导电胶用于分别与样品的上下表面粘合,第一导电胶与第一针脚电连接,第二导电胶与第二针脚电连接,第一针脚与静电计的高压输入口连接,第二针脚与静电计的信号输入口连接。本实用新型结构简单,操作方便,能够很好地实现静电屏蔽,减少外界环境对探测的干扰,大大降低了测试成本。同时,各部件之间连接稳定,能够准确测量到样品的弱电流,进而得到样品的X射线性能。

基本信息
专利标题 :
一种用于探测半导体材料X射线性能的装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920810627.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-05-31
授权号 :
CN209979526U
授权日 :
2020-01-21
发明人 :
王殳凹陈兰花梁城瑜翟富万程丽葳王亚星
申请人 :
苏州大学
申请人地址 :
江苏省苏州市吴中区石湖西路188号
代理机构 :
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
杨慧林
优先权 :
CN201920810627.1
主分类号 :
G01N23/00
IPC分类号 :
G01N23/00  H05K9/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N23/00
利用波或粒子辐射来测试或分析材料,例如未包括在G01N3/00-G01N17/00、G01N 21/00 或G01N 22/00中的X射线或中子
法律状态
2021-04-06 :
著录事项变更
IPC(主分类) : G01N 23/00
变更事项 : 发明人
变更前 : 王殳凹 陈兰花 梁城瑜 翟富万 程丽葳 王亚星
变更后 : 梁城瑜 王殳凹 陈兰花 翟富万 程丽葳 王亚星
2020-01-21 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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