本发明涉及交变磁场探测领域，具体涉及一种基于光敏半导体材料的交变磁场探测装置，包括衬底层、导电金属层、光敏半导体层、透明导电材料层、四氧化三铁颗粒，导电金属层置于衬底层上，光敏半导体层置于导电金属层上，透明导电材料层置于光敏半导体层上，导电金属层的功函数高，透明导电材料层的功函数低，四氧化三铁颗粒与光敏半导体层接触。应用时，导电金属层和透明导电材料层分别通过电极连接外电路，用以测量导电金属层和透明导电材料层之间的电流；同时，应用光照射光敏半导体层。本发明具有交变磁场探测灵敏度高的优点。另外，本发明不需要线圈等部件，装置尺寸小，在交变磁场探测领域具有良好的应用前景。