本发明属于氧化嫁晶体技术领域，尤其是氧化嫁晶体用的铂铱合金坩埚以及铂铱合金的制作装置，其用于高氧气氛下运用提拉法和倒模法来生长氧化嫁晶体，Ir含量为30wt％‑90wt％。该铂铱合金坩埚，通过设置坩埚的内部设置有模具，模具是Ir含量为30‑90wt％的Pt‑Ir系合金制的模具，在氧化嫁生长过程中对模具的腐蚀明显减轻，可明显降低氧化镓的生长成本，并提升氧化镓晶体的品质，当炉膛气氛为10％氧+10％二氧化碳+80％氩气，模拟氧化镓晶体生长的温度过程，但并不生长晶体，最终冷却凝固的氧化镓多晶体为不着色、杂质少、高透明状态，模具的光洁度基本不变，作为对比，采用传统气氛为10％二氧化碳+90％氩气时，最终冷却凝固的氧化镓多晶体有杂质、不透明，模具的光洁度有明显下降。