一种单晶炉冷却装置
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种单晶炉冷却装置,包括水箱、第一换热管、密封冷却箱、第二换热管及对接壳体,其中:水箱的进水口与外部水源连接;第一换热管设置在水箱内,第一换热管的进气端经管道与单晶炉的排气口连接,第一换热管的出气端经管道与密封冷却箱连接;对接壳体的第一端与密封冷却箱密封连接,对接壳体的第二端用于对接单晶炉的炉口;第二换热管设置在所述密封冷却箱内,第二换热管的进水端经管道与水箱的出水口连接,第二换热管的出水端与贯穿密封冷却箱的出水管道连接。本发明提供的单晶炉冷却装置能够实施对单晶炉的快速冷却。
基本信息
专利标题 :
一种单晶炉冷却装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114481295A
申请号 :
CN202210231437.0
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-03-09
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
周旺超黄剑雄
申请人 :
无锡松瓷机电有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市锡山区锡山经济开发区芙蓉四路195号
代理机构 :
无锡永乐唯勤专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
孙际德
优先权 :
CN202210231437.0
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/00
申请日 : 20220309
申请日 : 20220309
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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