一种新型直拉单晶炉用冷却装置
授权
摘要
本实用新型提供一种新型直拉单晶炉用冷却装置，包括水冷套和置于所述水冷套下方的钼内衬，所述水冷套靠近所述钼内衬一侧为倾斜设置的倾斜段，所述水冷套远离所述钼内衬一侧为竖直设置竖直段；所述钼内衬上端口内径大于其下端口内径，且与所述水冷套下端口内径相同；所述钼内衬倾斜角度不小于所述水冷套倾斜角度。本实用新型冷却装置，尤其适用于大尺寸硅棒的拉制，解决了现有技术中冷却效果差、影响单晶硅棒拉制的技术问题，本冷却装置结构简单，水冷效果好，保证硅液纯度，提高单晶硅棒拉制品质，提高生产效率。
基本信息
专利标题 ：
一种新型直拉单晶炉用冷却装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922266620.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-17
授权号 ：
CN211367801U
授权日 ：
2020-08-28
发明人 ：
张石晶武志军郭谦霍志强钟旭田鑫阳景吉祥李晓东张文霞高润飞
申请人 ：
内蒙古中环光伏材料有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN201922266620.0
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-08-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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