单晶炉管壁口冷却流道结构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

一种单晶炉管壁口冷却流道结构,包括突出设置于单晶炉的顶部外侧的上凸缘、突出设置于单晶炉的底部外侧的下凸缘、呈螺旋状突出设置于单晶炉周向侧壁外侧的隔离件、第一扰流件及第二扰流件;上层的隔离件与下层的隔离件之间形成冷却流道;第一扰流件及第二扰流件的形状均为c字形;第一扰流件位于开口管朝向冷却流体的来源方向一侧,第一扰流件的开口侧朝向冷却流体的来源方向;第二扰流件位于开口管的另一侧,第二扰流件的开口侧朝向开口管。如此提高了对管壁上的开口的冷却效果。

基本信息
专利标题 :
单晶炉管壁口冷却流道结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021037773.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-08
授权号 :
CN212688230U
授权日 :
2021-03-12
发明人 :
戴永丰史晓莉谭明
申请人 :
浙江臻强精密机械有限公司
申请人地址 :
浙江省嘉兴市嘉善县魏塘街道振业路9号3#车间
代理机构 :
北京中政联科专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
燕宏伟
优先权 :
CN202021037773.4
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2021-04-06 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C30B 15/00
变更事项 : 专利权人
变更前 : 浙江臻强精密机械有限公司
变更后 : 浙江臻强精密机械股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 314100 浙江省嘉兴市嘉善县魏塘街道振业路9号3#车间
变更后 : 314100 浙江省嘉兴市嘉善县魏塘街道振业路9号3#车间
2021-03-12 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332