单晶炉热屏结构
授权
摘要

一种单晶炉热屏结构,包括内热屏、外热屏、固定部件、热屏上部断热材盖、保护盖板、提升环,内热屏套装在外热屏内,外热屏的顶部固定设置有连接凸边,提升环设置在连接凸边的下部,固定部件与提升环固定连接,且固定部件的底部与提升环的上部表面相贴合,热屏上部断热材盖固定设置在连接凸边及提升环的上部,保护盖板固定设置在热屏上部断热材盖的上部;本实用新型在使用的时候可以减轻氩气对断热材的冲刷,使得氩气难以将热屏断热材上的碳粉,纤维等带入溶汤,提高成晶率,改善晶棒体内碳含量,延长断热材使用寿命。

基本信息
专利标题 :
单晶炉热屏结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022004275.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-14
授权号 :
CN213037874U
授权日 :
2021-04-23
发明人 :
伊冉
申请人 :
宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请人地址 :
宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路28号
代理机构 :
宁夏合天律师事务所
代理人 :
曹广涛
优先权 :
CN202022004275.6
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2021-04-23 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN213037874U.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332