排气结构和单晶炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种排气结构和单晶炉，涉及单晶硅生产设备技术领域，主要目的是提供一种能够减少挥发物堆积的排气结构。本实用新型的主要技术方案为：一种排气结构，包括：排气管道，排气管道包括波纹管、沉降管和延伸管，沉降管的一端连接于波纹管，另一端连接于延伸管，波纹管连接于炉体；振动部，振动部包括振动电机，振动电机贴附于沉降管的表面，用于使沉降管振动。本实用新型主要用于生产单晶硅。
基本信息
专利标题 ：
排气结构和单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922064479.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-26
授权号 ：
CN210886317U
授权日 ：
2020-06-30
发明人 ：
刘学金王宿段永兵王军李佳诚
申请人 ：
新疆晶科能源有限公司
申请人地址 ：
新疆维吾尔自治区伊犁哈萨克自治州新源县北工业园区A区
代理机构 ：
北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孟阿妮
优先权 ：
CN201922064479.6
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2020-06-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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