一种单晶炉结构
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型公开了一种单晶炉结构,包括有炉体,所述炉体的上端活动连接有上盖,上盖上设置有两个用于观测炉体内部的观测口,上盖上还开设有可供晶体生长杆伸入至炉体内部的开口,观测口上设置有玻璃镜片,所述的观测口倾斜设置在上盖上;所述上盖的下方活动连接有能相对其转动并能挡住观测口的钼质挡板。本实用新型的上盖上设置有观测口,观测口上安装有玻璃镜片,上盖的下方滑动连接有能挡住观测口的挡板,在炉体内温度高时,可以操作挡板遮挡住观测口,避免炉体内温度过高损坏玻璃镜片,对安装在观测口处的玻璃镜片进行保护,延长使用寿命,同时观测口倾斜设置,便于在外部观测到炉体内部的情况。

基本信息
专利标题 :
一种单晶炉结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921805225.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-24
授权号 :
CN210974931U
授权日 :
2020-07-10
发明人 :
姚以力姚泰李光
申请人 :
中山荣拓智能装备有限公司
申请人地址 :
广东省中山市翠亨新区和清路14号厂房第一层(住所申报)
代理机构 :
中山市科创专利代理有限公司
代理人 :
谢自安
优先权 :
CN201921805225.9
主分类号 :
C30B35/00
IPC分类号 :
C30B35/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2022-03-01 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C30B 35/00
登记生效日 : 20220216
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中山荣拓智能装备有限公司
变更后权利人 : 姚泰
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 528400 广东省中山市翠亨新区和清路14号厂房第一层(住所申报)
变更后权利人 : 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区繁荣街132号
2020-07-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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