一种VGF法生长单晶的单晶炉结构
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摘要
本发明涉及一种VGF法生长单晶的单晶炉结构，属于半导体材料技术领域，包括炉体外壁、保温层,保温层内包括生长段和炉芯段，生长段横向设置有数组热电偶，每组的两个热电偶测温点对称设置于坩埚两侧，炉芯段纵向设置有数个热电偶，炉芯段第一热电偶其测温点与籽晶段底部平行，第二热电偶其测温点为坩埚的放肩处，第三热电偶其测温点为坩埚转肩处的中部，第三热电偶为热电偶族，从转肩处中部横向形成一个圆形截面，沿其边缘等分设置不少于6个热点偶，本发明通过晶体生长热电偶的损坏情况和成晶情况合理安装热电偶，使得炉膛的使用寿命增加，减少维修次数，避免了由于单一热电偶损坏造成晶体报废，降低了生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种VGF法生长单晶的单晶炉结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022367535.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-22
授权号 ：
CN213507285U
授权日 ：
2021-06-22
发明人 ：
陈娅君刘汉保普世坤柳廷龙叶晓达柳廷芳黄平吕春富张春珊王顺金陈维迪
申请人 ：
云南鑫耀半导体材料有限公司
申请人地址 ：
云南省昆明市高新区电子工业标准厂房A栋1楼
代理机构 ：
昆明祥和知识产权代理有限公司
代理人 ：
董昆生
优先权 ：
CN202022367535.6
主分类号 ：
C30B11/00
IPC分类号 ：
C30B11/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2021-06-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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