单晶炉冷却循环系统
授权
摘要
本实用新型公开一种单晶炉冷却循环系统，包括沿单晶炉内壁设置的第一夹层，还包括控制装置、气体冷却装置、抽气泵、一级换热器和二级换热器，抽气泵进口连接进气管，抽气泵出口通过第一管路接气体冷却装置进口，气体冷却装置出口通过第一管路接第一夹层进气口，第一夹层出气口通过第一管路接一级换热器进口，一级换热器出口连接出气管，出气管通过第二管路接抽气泵进气口、通过第三管路接二级换热器进气口，二级换热器出口接抽气泵进口；一级换热器的出气管连接温度传感器，第二管路和第三管路均连接电磁阀；温度传感器、红外测温仪、第一电磁阀、第二电磁阀分别与控制装置电连接。本实用新型结构简单，占用空间少，冷却效果好，且便于安装和使用。
基本信息
专利标题 ：
单晶炉冷却循环系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122446699.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-12
授权号 ：
CN216192867U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
燕靖郭晓琛吴亚娟
申请人 ：
徐州美芯半导体材料科技有限公司;江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市金山桥开发区鑫芯路1号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122446699.2
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06 C30B15/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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