一种新型直拉单晶用冷却装置
授权
摘要
本实用新型提供一种新型直拉单晶用冷却装置，包括内导和外导，内导设于外导的内部，还包括：用于提升内导和外导的提升装置，提升装置与内导连接，且提升装置可相对于内导转动；用于控制内导与外导紧固和脱离的旋转装置，旋转装置与提升装置的一端连接，且外导与旋转装置接触配合或脱离配合。本实用新型的有益效果是应用于直拉单晶时使用，具有提升装置和旋转装置，能够实现内导与外导的相对移动和同时移动两种状态，提升直拉单晶时的生长拉速，降低化料工时，提升单晶品质，降低单晶制造生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种新型直拉单晶用冷却装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921655822.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-30
授权号 ：
CN211921747U
授权日 ：
2020-11-13
发明人 ：
武志军高润飞张文霞郭谦霍志强韩凯王胜利张石晶景吉祥赵志远康学兵宋瑞强
申请人 ：
内蒙古中环光伏材料有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN201921655822.8
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2020-11-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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