一种冷却屏及单晶炉
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种冷却屏及单晶炉,该冷却屏包括内筒和外筒;其中,所述内筒设置在所述外筒内,所述内筒底端与所述外筒底端固定连接,且所述内筒和所述外筒之间设置有槽状结构,所述槽状结构连接所述内筒和所述外筒;所述外筒的直径与所述内筒的直径的比值为1.3:1~1.8:1。本发明提供的冷却屏应用于单晶炉热场中,晶棒在内筒的中间空间生长,晶棒与内筒距离较近,从而使热辐射距离内筒较近,内筒吸热后通过热传导及热辐射向槽状结构传导热量,槽状结构吸热后通过热传导及热辐射向外筒传导热量,有助于提高外筒的热吸收能力,外筒用于通入冷水散热,这样有助于晶棒快速稳定拉制。
基本信息
专利标题 :
一种冷却屏及单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114381794A
申请号 :
CN202111506599.2
公开(公告)日 :
2022-04-22
申请日 :
2021-12-10
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈林军李小红李科饫涂鑫鑫陈昌林陈铭
申请人 :
四川晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请人地址 :
四川省乐山市五通桥区桥沟镇十字街10号
代理机构 :
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
成丽杰
优先权 :
CN202111506599.2
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2022-05-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/00
申请日 : 20211210
申请日 : 20211210
2022-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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