导流筒提升组件和单晶炉
授权
摘要
本实用新型涉及一种导流筒提升组件，包括导流筒、提升结构，以及能够连接于导流筒和提升结构的提升杆之间的连接结构，导流筒的第一端具有凸缘，凸缘上具有至少一个第一安装孔；连接结构包括连接板和固定螺栓，连接板包括固定部和连接部，固定部上设置有与第一安装孔相配合的至少一个第二安装孔，固定螺栓能够依次穿过第二安装孔和第一安装孔，以将连接板紧密连接于凸缘上，连接部上开设有缺口；提升杆包括沿第一方向延伸的柱状本体，柱状本体的一端的外周面内凹形成环形卡接口，卡接口能够卡接入缺口内以将提升杆与导流筒连接，环形卡接口在第一方向上的长度大于预设值。本实用新型还涉及一种单晶炉。
基本信息
专利标题 ：
导流筒提升组件和单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220252868.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-01-29
授权号 ：
CN216688412U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
赵剑波
申请人 ：
西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟设备技术有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈丽宁
优先权 ：
CN202220252868.0
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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