一种单晶炉热屏导流筒
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摘要
本实用新型涉及机械设备技术领域，具体涉及一种单晶炉热屏导流筒，包括导流筒本体，导流筒本体包括外热屏和内热屏，外热屏和内热屏之间设有保温层结构，在内热屏空腔体内设置有冷却装置，该冷却装置的侧壁由钼制成形成隔热屏，隔热屏内侧沿壁体设置有螺旋冷却管，冷却管内设置有铜制的筒体；该导流筒用冷却装置增大纵向温度分布并把冷却装置与保温热屏分开，增强保温性能的同时形成保护气通道，使生产单晶更加稳定，降低了加热器消耗，增加了晶体的生长速度、节约了生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉热屏导流筒
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022421729.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-27
授权号 ：
CN213652720U
授权日 ：
2021-07-09
发明人 ：
高德东王珊张西亚高俊伟宋生宏
申请人 ：
青海大学;阳光能源（青海）有限公司
申请人地址 ：
青海省西宁市宁大路251号
代理机构 ：
北京天奇智新知识产权代理有限公司
代理人 ：
李树志
优先权 ：
CN202022421729.X
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-07-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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