一种单晶炉导流筒新型软毡
授权
摘要
本实用新型公开了一种单晶炉导流筒新型软毡，包括外筒和中筒，所述外筒的内部安装有中筒，且外筒和中筒的底部之间通过螺栓相互连接，而且中筒的底部出口处活动安装有炉底保暖软毡，并且外筒和中筒之间固定安装有导流筒保温软毡，所述外筒的顶部外壁上固定有防护壳，所述定位环的外壁上固定连接有钢丝绳的一端，且钢丝绳的另一端固定连接于定位钢条的端部，并且定位钢条位于外筒的中部，所述炉底保暖软毡上开设有导流孔。该单晶炉导流筒新型软毡，便于软毡的辅助安装定位，提高其定位安装便捷性和稳固效果，在使用时不仅可以降低拉晶过程的碳含量，提升晶棒少子寿命，而且相比常规碳毡，具有更长的使用寿命、更好的保温性能等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉导流筒新型软毡
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021031669.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-08
授权号 ：
CN212560512U
授权日 ：
2021-02-19
发明人 ：
杨昊
申请人 ：
弘元新材料（包头）有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区包头市青山区装备制造产业园区管委会A座516室
代理机构 ：
北京睿博行远知识产权代理有限公司
代理人 ：
张燕平
优先权 ：
CN202021031669.4
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-02-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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