一种具有高强涂层结构的单晶炉用石墨导流筒
授权
摘要
本实用新型公开了一种具有高强涂层结构的单晶炉用石墨导流筒，包括外筒以及内筒，外筒与内筒之间固定设有石墨毡层，内筒的内壁涂覆有碳化硅涂层，且内筒的内壁固定设有两个调节组件，两个调节组件均包括转接块、转轴、导流板、第一铰接座、气缸和第二铰接座，两个转接块固定设置在内筒的内壁，两个转接块均通过转轴分别与两个导流板的一端转动连接，两个导流板的一侧均固定设有第一铰接座，本实用新型的有益效果是：通过设置的外筒与内筒双层结构，当导流筒在使用过程中内筒或外筒发生破裂时，导流筒不会掉入石英坩埚内，避免了生产过程中石英坩埚破裂对原料造成的污染，提高了生产效率，降低了生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种具有高强涂层结构的单晶炉用石墨导流筒
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021513525.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-28
授权号 ：
CN212771040U
授权日 ：
2021-03-23
发明人 ：
申连喜赵永敬
申请人 ：
嘉祥洪润电碳有限公司
申请人地址 ：
山东省济宁市嘉祥县万张街道万张工业园（德丰重工公司西800米）
代理机构 ：
济宁汇景知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄美珍
优先权 ：
CN202021513525.2
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-03-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
