一种直拉单晶炉用石墨支撑环
授权
摘要
本实用新型提供一种直拉单晶炉用石墨支撑环，包括支撑环，所述支撑环的表面设置有防护层，所述防护层包括弹力层、防腐层和耐磨层，所述弹力层位于支撑环的外侧，所述防腐层位于弹力层的外侧，所述耐磨层位于防腐层的外侧。本实用新型通过弹簧的配合，支撑环受力，从而对弹簧进行挤压，通过弹簧的弹性回弹，继而对支撑环所受的力进行缓冲，通过弹力层的配合，从而对支撑环所受的力进行缓冲，防止支撑环容易受压变形，使用者需要多次对石墨支撑环进行更换，同时会严重影响直拉单晶炉的工作效率，解决了传统直拉单晶炉用石墨支撑环弹性效果差的问题，通过陶瓷化硅橡胶层和聚氨酯层的配合，增加了支撑环的弹性效果。
基本信息
专利标题 ：
一种直拉单晶炉用石墨支撑环
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020191904.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-21
授权号 ：
CN211814709U
授权日 ：
2020-10-30
发明人 ：
申连喜赵永敬
申请人 ：
嘉祥洪润电碳有限公司
申请人地址 ：
山东省济宁市嘉祥经济开发区（吉祥路东至西100米路北）
代理机构 ：
济宁汇景知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曾孟勍
优先权 ：
CN202020191904.8
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-10-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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