一种单晶炉的冷却系统
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型公开了一种单晶炉的冷却系统,包括有炉体,炉体的侧壁设置有第一冷却层和保温层,第一冷却层包括有左冷却层和右冷却层,炉体的左半侧壁包括有左起始部和左端部,左起始部上间隔设置有第一导流板,第一导流板包括第一导流板连接端和第一导流板自由端,左端部上间隔设置有第二导流板,第二导流板包括有第二导流板连接端和第二导流板自由端,炉体的左半侧壁上设置有左冷却层进水口与左冷却层出水口;炉体的底部设置有第二冷却层,炉体的底部设置有第二冷却层进水口和第二冷却层出水口。本实用新型设置多个冷却层使得冷却水时能够全方位的对炉体进行冷却降温,使炉体表面温度接近人体温度,降温效果好。

基本信息
专利标题 :
一种单晶炉的冷却系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921814661.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-25
授权号 :
CN210974932U
授权日 :
2020-07-10
发明人 :
姚以力李光于德金
申请人 :
中山荣拓智能装备有限公司
申请人地址 :
广东省中山市翠亨新区和清路14号厂房第一层(住所申报)
代理机构 :
中山市科创专利代理有限公司
代理人 :
谢自安
优先权 :
CN201921814661.2
主分类号 :
C30B35/00
IPC分类号 :
C30B35/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2022-03-11 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C30B 35/00
登记生效日 : 20220228
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中山荣拓智能装备有限公司
变更后权利人 : 姚泰
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 528400 广东省中山市翠亨新区和清路14号厂房第一层(住所申报)
变更后权利人 : 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区繁荣街132号
2020-07-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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